事業内容02

半導体受託加工

04. 外観検査工程

お客様の仕様にあわせて全数検査、抜き取り検査、ウェハ状態での検査等いたします。（実体顕微鏡、金属顕微鏡使用 検査倍率：15～200倍）
・チップの抗折強度の評価・確認が可能です。（最大荷重100N）
　※ニュートン、グラム、メガパスカルでのデータ出力が可能です。
・厚さ測定（接触式）ウェハ状態からチップの厚さまで、測定可能です。（0.001umまでの測定可能）
・チップの抗折強度の評価・確認が可能です。（最大荷重 100N）
・粗さ測定（接触式）ウェハ裏面研削後の面粗さ状態の確認が可能です。（Ra≧0.001以上 測定が可能）
　※Ra、Rz、Ry、Rmax、Sm、S、tpなど出力パラメーターは全部で34種類です。

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  顕微鏡観察

  熟練された作業者（認定制度）によりお客様の仕様にあわせて全数検査、抜き取り検査、ウェハ状態での検査等いたします。
  作業は全てクリーンルーム内のクリーンブース・クリーンベンチ内で、パーティクル、ESDに注意を払い行います。
  実体顕微鏡、金属顕微鏡どちらでも対応可能です。（実体顕微鏡、金属顕微鏡使用 検査倍率：15～200倍）

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  抗折強度

  ウェハの薄型化に伴い、チップの抗折強度も注目されております。
  チップの抗折強度の評価・確認が可能です。（最大荷重 100N）
  ※ニュートン、グラム、メガパスカルでのデータ出力が可能です。

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  厚さ測定（接触式）

  ウェハ状態からチップの厚さまで、精度良く測定することが可能です。
  ウェハ及びチップの厚さ測定が可能です。（0.001umまでの測定可能）

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  粗さ測定（接触式）

  裏面研削後の面粗さの測定を行います。
  ウェハ裏面研削後の面粗さ状態の確認が可能です。（Ra≧0.001以上 測定が可能です）
  チップの抗折強度の評価・確認が可能です。（最大荷重 100N）
  ※Ra,Rz,Ry,Rmax,Sm,S,tpなど出力パラメーターは全部で34種類です。